Infineon zainwestuje 1,1 mld EUR w produkcję półprzewodników GaN. Kolejny zakład na AI!

Infineon zainwestuje 1,1 mld EUR w produkcję półprzewodników GaN. Kolejny zakład na AI!

Infineon ogłosił dzisiaj nowy plan inwestycyjny o wartości 1,1 mld EUR, który zakłada uruchomienie w austriackim Villach pierwszej na świecie wielkoseryjnej produkcji półprzewodników mocy opartych na azotku galu (GaN) na waflach o średnicy 300 mm.

Inwestycja zostanie rozłożona do 2034 roku, ale sama produkcja ma ruszyć już pod koniec 2027 roku, a dalsze zwiększanie mocy będzie uzależnione od faktycznego popytu. Co ciekawe, projekt uzyskał również zgodę Komisji Europejskiej na 319 mln EUR pomocy publicznej, choć formalna decyzja o przyznaniu finansowania przez austriackie ministerstwo jeszcze nie zapadła.

Najciekawszy jest jednak sam wybór technologii. GaN pozwala budować znacznie wydajniejsze energetycznie układy zasilania, które znajdują zastosowanie między innymi w centrach danych AI, energetyce, elektromobilności i robotyce. Przejście na wafle 300 mm zamiast 200 mm pozwala z kolei uzyskać według Infineona 2,3 razy więcej chipów z pojedynczego wafla, co stwarza potencjał do istotnego obniżenia jednostkowych kosztów produkcji.

To zresztą nieprzypadkowy kierunek, bo zaledwie sześć dni temu Infineon informował o rozszerzeniu współpracy z Nvidią nad systemami konwersji energii wykorzystującymi GaN w architekturze zasilania centrów danych 800 V DC. Przy rosnącej mocy pojedynczych szaf serwerowych coraz większe znaczenie ma nie tylko wydajność samych akceleratorów, ale również ograniczenie strat energii przy jej dostarczaniu.

Źródła

Infineon, oficjalny komunikat o inwestycji, 27.10.2026

Infineon, współpraca z Nvidią przy zasilaniu 800 V DC, 21.10.2026

2 godziny temu

Najnowsze.

CXMT rusza z produkcją HBM3E mimo fatalnych uzysków!

Reuters donosi, że chiński CXMT zamierza w ciągu najbliższych dwóch miesięcy rozpocząć ograniczoną produkcję pamięci HBM3E, mimo że obecne uzyski produkcyjne wynoszą zaledwie 20–30%, wobec około 70% w SK Hynix! Oznacza to, że większość wyprodukowanych układów nie spełnia wymagań jakościowych, co oczywiście drastycznie podnosi koszty. Według informatorów agencji CXMT dostarczył już próbki kilku chińskim projektantom procesorów AI, w dwóch wersjach, z których jedna ma poprawić uzyski.

Co ciekawe, problemem pozostaje również sama wydajność. Według jednego ze źródeł testy pokazują, że chińskie HBM3E osiąga parametry bliższe starszemu HBM3 od SK Hynix niż jego odpowiednikowi HBM3E. Do tego koszty produkcji mają być wyższe niż u zagranicznej konkurencji. Wszystkie te informacje pochodzą jednak od anonimowych informatorów Reutersa i nie zostały oficjalnie potwierdzone przez CXMT.

Dlaczego więc Chińczycy tak bardzo spieszą się z uruchomieniem produkcji? Bo zwyczajnie brakuje im pamięci do własnych akceleratorów AI. Amerykańskie ograniczenia eksportowe utrudniają dostęp do zaawansowanego HBM, przez co chińscy producenci muszą korzystać z nieoficjalnych kanałów dostaw, płacąc czasem kilkukrotnie więcej. Reuters informował już we wrześniu, że Huawei, Cambricon i inni producenci podnosili ceny swoich procesorów AI o 20–50%, między innymi właśnie przez rosnące koszty pamięci.

Moim zdaniem pokazuje to, jak spora pozostaje wciąż przewaga technologiczna koreańskich i amerykańskich producentów HBM. Podczas gdy SK Hynix przechodzi już na HBM4, Chińczycy mają problem z opłacalną produkcją poprzedniej generacji. Jednocześnie jest to kolejny argument za dalszymi inwestycjami w chińskie moce DRAM i zaawansowane procesy produkcyjne. Popyt na sprzęt do produkcji półprzewodników może na tym korzystać, choć amerykańskie ograniczenia eksportowe nadal utrudniają dostęp do części najbardziej zaawansowanych maszyn. W Chinach nawet droższa i technologicznie słabsza pamięć może znaleźć odbiorców, bo alternatyw zwyczajnie brakuje.

Jurek Tomaszewski ACM Research (ACMR)